DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1

Номер детали: DF150R12RT4HOSA1
Категория продукта: Модули IGBT
Производитель: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 150A 790W
Упаковка: Tray
Состояние ROHS: Да
Валюта: USD

Характеристики

  • Статус детали Obsolete
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Корпус Module
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
  • 输入 Standard
  • NTC Термистор No
  • Рабочая температура -40°C ~ 150°C
  • Поставщик Устройство Корпус Module
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 150 A
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Входная емкость (Cies) при Vce 9.3 nF @ 25 V
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
  • Мощность - Максимальная 790 W
  • Конфигурация Single Chopper