DF200R12KE3HOSA1
Номер детали:
DF200R12KE3HOSA1
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IGBT MODULE 1200V 1040W
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Рабочая температура -40°C ~ 125°C
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация Single
- Корпус Module
- IGBT Тип -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Ток отсечки коллектора (макс.) 5 mA
- Поставщик Устройство Корпус Module
- Мощность - Максимальная 1040 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 14 nF @ 25 V
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A