FF200R12W2T7EB11BPSA1
Номер детали:
FF200R12W2T7EB11BPSA1
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
FF200R12W2T7EB11BPSA1
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Поставщик Устройство Корпус -
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- 输入 Standard
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 165 A
- Мощность - Максимальная 20 mW
- Конфигурация Half Bridge Inverter
- Ток отсечки коллектора (макс.) 15 µA
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 200A
- Входная емкость (Cies) при Vce 43400 pF @ 25 V