FS100R07N2E4B11BOSA1
Номер детали:
FS100R07N2E4B11BOSA1
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IGBT MOD 650V 125A 20MW
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Discontinued at
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
- 输入 Standard
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C
- Конфигурация Three Phase Inverter
- Поставщик Устройство Корпус Module
- NTC Термистор Yes
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 125 A
- Входная емкость (Cies) при Vce 6.2 nF @ 25 V
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 100A