IGB50N65H5ATMA1
Номер детали:
IGB50N65H5ATMA1
Категория продукта:
Одиночные IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- 输入类型 Standard
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Заряд затвора 120 nC
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 80 A
- Ток коллектора импульсный (Icm) 150 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Поставщик Устройство Корпус PG-TO263-3
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- Мощность - Максимальная 270 W
- Условия испытания 400V, 50A, 12Ohm, 15V
- Энергия переключения 1.59mJ (on), 750µJ (off)
- Td (включено/выключено) @ 25°C 23ns/173ns