IKB30N65ES5ATMA1

IKB30N65ES5ATMA1

Номер детали: IKB30N65ES5ATMA1
Категория продукта: Одиночные IGBT
Производитель: Infineon Technologies
Описание: IGBT TRENCH FS 650V 62A TO263-3
Упаковка: Cut Tape (CT)
Состояние ROHS: Да
Валюта: USD

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Время обратного восстановления (trr) 75 ns
  • 输入类型 Standard
  • Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Ток коллектора импульсный (Icm) 120 A
  • Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Заряд затвора 70 nC
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
  • Поставщик Устройство Корпус PG-TO263-3
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 30A
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 62 A
  • Мощность - Максимальная 188 W
  • Условия испытания 400V, 30A, 13Ohm, 15V
  • Энергия переключения 560µJ (on), 320µJ (off)
  • Td (включено/выключено) @ 25°C 17ns/124ns