IXXN110N65C4H1
Номер детали:
IXXN110N65C4H1
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
IXYS
Описание:
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B
Упаковка:
Tube
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Конфигурация Single
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Поставщик Устройство Корпус SOT-227B
- Корпус SOT-227-4, miniBLOC
- IGBT Тип PT
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- Ток отсечки коллектора (макс.) 50 µA
- Мощность - Максимальная 750 W
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 210 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 110A
- Входная емкость (Cies) при Vce 3.69 nF @ 25 V