NXH600B100H4Q2F2S1G

NXH600B100H4Q2F2S1G

Номер детали: NXH600B100H4Q2F2S1G
Категория продукта: Модули IGBT
Производитель: onsemi
Описание: FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH
Упаковка: Tray
Состояние ROHS: Да
Валюта: USD

Характеристики

  • Статус детали Active
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Корпус Module
  • 输入 Standard
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1000 V
  • Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC Термистор Yes
  • IGBT Тип Trench Field Stop
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 20 µA
  • Конфигурация Three Level Inverter
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
  • Поставщик Устройство Корпус 56-PIM (93x47)
  • Входная емкость (Cies) при Vce 12687.7 pF @ 20 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 173 A
  • Мощность - Максимальная 422 W