NXH80T120L3Q0S3G
Номер детали:
NXH80T120L3Q0S3G
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
onsemi
Описание:
PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 75 A
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток отсечки коллектора (макс.) 300 µA
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 80A
- Поставщик Устройство Корпус 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
- Мощность - Максимальная 188 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 18.15 nF @ 20 V