STGB6M65DF2
Номер детали:
STGB6M65DF2
Категория продукта:
Одиночные IGBT
Производитель:
STMicroelectronics
Описание:
IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Корпус TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Поставщик Устройство Корпус D2PAK
- Время обратного восстановления (trr) 140 ns
- Ток коллектора импульсный (Icm) 24 A
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 12 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 650 V
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
- Мощность - Максимальная 88 W
- Энергия переключения 36µJ (on), 200µJ (off)
- Заряд затвора 21.2 nC
- Td (включено/выключено) @ 25°C 15ns/90ns
- Условия испытания 400V, 6A, 22Ohm, 15V