VS-GB200TH120N

VS-GB200TH120N

Номер детали: VS-GB200TH120N
Категория продукта: Модули IGBT
Производитель: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Описание: IGBT MOD 1200V 360A INT-A-PAK
Упаковка: Bulk
Состояние ROHS: Да
Валюта: USD

Характеристики

  • Статус детали Obsolete
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Рабочая температура 150°C (TJ)
  • IGBT Тип -
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
  • Конфигурация Half Bridge
  • 输入 Standard
  • NTC Термистор No
  • Ток отсечки коллектора (макс.) 5 mA
  • Мощность - Максимальная 1136 W
  • Ток коллектора (Ic) (макс.) 360 A
  • Корпус Double INT-A-PAK (3 + 4)
  • Поставщик Устройство Корпус Double INT-A-PAK
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 200A
  • Входная емкость (Cies) при Vce 14.9 nF @ 25 V