FII30-12E

FII30-12E

零件编号: FII30-12E
产品分类: IGBT 阵列
制造商: IXYS
描述: IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
包装: Tube
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料

规格

  • 零件状态 Obsolete
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 1200 V
  • 配置 Half Bridge
  • Input Standard
  • NTC热敏电阻 No
  • 最大功率 150 W
  • IGBT类型 NPT
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 33 A
  • 集电极截止电流(最大值) 200 µA
  • 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC™
  • 封装 / 外壳 i4-Pac™-5
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A
  • 输入电容(Cies)@ Vce 1.2 nF @ 25 V