GT10J312(Q)

GT10J312(Q)

零件编号: GT10J312(Q)
产品分类: 单管 IGBT
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
描述: IGBT 600V 10A 60W TO220SM
包装: Tube
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料

规格

  • 零件状态 Obsolete
  • 安装类型 Through Hole
  • 供应商器件封装 -
  • 反向恢复时间 200 ns
  • 工作温度 150°C (TJ)
  • IGBT类型 -
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 600 V
  • 输入类型 Standard
  • 最大功率 60 W
  • 开关能量 -
  • 封装 / 外壳 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 10 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 20 A
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 400ns/400ns
  • 测试条件 300V, 10A, 100Ohm, 15V