GT30J121(Q)

GT30J121(Q)

零件编号: GT30J121(Q)
产品分类: 单管 IGBT
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
描述: IGBT 600V 30A 170W TO3PN
包装: Tube
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料

规格

  • 安装类型 Through Hole
  • 零件状态 Active
  • IGBT类型 -
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 600 V
  • 输入类型 Standard
  • 封装 / 外壳 TO-3P-3, SC-65-3
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 30 A
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 60 A
  • 最大功率 170 W
  • 供应商器件封装 TO-3P(N)
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
  • 开关能量 1mJ (on), 800µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 90ns/300ns
  • 测试条件 300V, 30A, 24Ohm, 15V