GT40WR21,Q

GT40WR21,Q

零件编号: GT40WR21,Q
产品分类: 单管 IGBT
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
描述: IGBT 1350V 40A TO-3P
包装: Tray
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料

规格

  • 安装类型 Through Hole
  • 零件状态 Active
  • IGBT类型 -
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 40 A
  • 输入类型 Standard
  • 测试条件 -
  • 封装 / 外壳 TO-3P-3, SC-65-3
  • 开关能量 -
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C -
  • 工作温度 175°C (TJ)
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 80 A
  • 供应商器件封装 TO-3P(N)
  • 最大功率 375 W
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 1350 V
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 5.9V @ 15V, 40A