GT60N321(Q)
零件编号：
GT60N321(Q)
产品分类：
单管 IGBT
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
描述：
IGBT 1000V 60A TO-3P
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Obsolete
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 150°C (TJ)
- IGBT类型 -
- 输入类型 Standard
- 测试条件 -
- 反向恢复时间 2.5 µs
- 开关能量 -
- 集电极电流（Ic）（最大值） 60 A
- 集电极脉冲电流 (Icm) 120 A
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 1000 V
- 最大功率 170 W
- 封装 / 外壳 TO-3PL
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
- 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 330ns/700ns
- 供应商器件封装 TO-3P(LH)