HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

零件编号: HGT1S2N120CN
产品分类: 单管 IGBT
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: IGBT NPT 1200V 13A TO-262
包装: Tube
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料

规格

  • 零件状态 Obsolete
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入类型 Standard
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 13 A
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 1200 V
  • IGBT类型 NPT
  • 封装 / 外壳 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • 供应商器件封装 TO-262
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 20 A
  • 栅极电荷 30 nC
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
  • 最大功率 104 W
  • 开关能量 96µJ (on), 355µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 25ns/205ns
  • 测试条件 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V