IGB20N65S5ATMA1

IGB20N65S5ATMA1

零件编号: IGB20N65S5ATMA1
产品分类: 单管 IGBT
制造商: Infineon Technologies
描述: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO263-3
包装: Cut Tape (CT)
ROHS状态: Yes
货币: USD
PDF: 资料

规格

  • 零件状态 Active
  • 安装类型 Surface Mount
  • 集电极电流(Ic)(最大值) 40 A
  • 输入类型 Standard
  • 封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 最大功率 125 W
  • 供应商器件封装 PG-TO263-3-2
  • 集电极脉冲电流 (Icm) 80 A
  • 电压 - 集电极-发射极击穿电压(最大值) 650 V
  • Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A
  • 栅极电荷 48 nC
  • IGBT类型 Trench Field Stop
  • 测试条件 400V, 20A, 20Ohm, 15V
  • 开关能量 360µJ (on), 150µJ (off)
  • 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 13ns/115ns