IGB50N65H5ATMA1
零件编号：
IGB50N65H5ATMA1
产品分类：
单管 IGBT
制造商：
Infineon Technologies
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 输入类型 Standard
- 封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 栅极电荷 120 nC
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 集电极电流（Ic）（最大值） 80 A
- 集电极脉冲电流 (Icm) 150 A
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 650 V
- 供应商器件封装 PG-TO263-3
- IGBT类型 Trench Field Stop
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- 最大功率 270 W
- 测试条件 400V, 50A, 12Ohm, 15V
- 开关能量 1.59mJ (on), 750µJ (off)
- 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 23ns/173ns