规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 封装 / 外壳 Module
- IGBT类型 -
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 1200 V
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 配置 Half Bridge
- 集电极截止电流（最大值） 1 mA
- Input Standard
- NTC热敏电阻 Yes
- 供应商器件封装 E3
- 集电极电流（Ic）（最大值） 225 A
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 225A
- 最大功率 1.54 kW
- 输入电容（Cies）@ Vce 15600 pF @ 25 V