规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 封装 / 外壳 Module
- IGBT类型 -
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 1200 V
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 配置 Half Bridge
- 集电极截止电流（最大值） 1 mA
- Input Standard
- NTC热敏电阻 No
- 供应商器件封装 Module
- 集电极电流（Ic）（最大值） 200 A
- 最大功率 961 W
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 200A
- 输入电容（Cies）@ Vce 19000 pF @ 25 V