RGT16TM65DGC9
零件编号：
RGT16TM65DGC9
产品分类：
单管 IGBT
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 9A TO-220NFM
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 输入类型 Standard
- 集电极电流（Ic）（最大值） 9 A
- 封装 / 外壳 TO-220-3 Full Pack
- 开关能量 -
- 反向恢复时间 42 ns
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 集电极脉冲电流 (Icm) 24 A
- 栅极电荷 21 nC
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 650 V
- IGBT类型 Trench Field Stop
- 最大功率 22 W
- 供应商器件封装 TO-220NFM
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A
- 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 13ns/33ns
- 测试条件 400V, 8A, 10Ohm, 15V