RGT30NS65DGC9
零件编号：
RGT30NS65DGC9
产品分类：
单管 IGBT
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
包装：
Tube
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 安装类型 Through Hole
- 零件状态 Active
- 反向恢复时间 55 ns
- 输入类型 Standard
- 开关能量 -
- 封装 / 外壳 TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- 供应商器件封装 TO-262
- 集电极电流（Ic）（最大值） 30 A
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 栅极电荷 32 nC
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 650 V
- 集电极脉冲电流 (Icm) 45 A
- IGBT类型 Trench Field Stop
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
- 测试条件 400V, 15A, 10Ohm, 15V
- 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 18ns/64ns
- 最大功率 133 W