RGT8BM65DGTL1
零件编号：
RGT8BM65DGTL1
产品分类：
单管 IGBT
制造商：
ROHM Semiconductor
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE
包装：
Cut Tape (CT)
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 等级 -
- 认证 -
- 输入类型 Standard
- 封装 / 外壳 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 开关能量 -
- 反向恢复时间 40 ns
- 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 集电极电流（Ic）（最大值） 12 A
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 650 V
- IGBT类型 Trench Field Stop
- 最大功率 62 W
- 集电极脉冲电流 (Icm) 12 A
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
- 栅极电荷 13.5 nC
- 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 17ns/69ns
- 测试条件 400V, 4A, 50Ohm, 15V
- 供应商器件封装 TO-252GE