STGB50H65FB2
零件编号：
STGB50H65FB2
产品分类：
单管 IGBT
制造商：
STMicroelectronics
描述：
IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
包装：
Bulk
ROHS状态：
Yes
货币：
USD
规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- 供应商器件封装 TO-263 (D2PAK)
- 封装 / 外壳 TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 集电极脉冲电流 (Icm) 150 A
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 650 V
- IGBT类型 Trench Field Stop
- 最大功率 272 W
- 集电极电流（Ic）（最大值） 86 A
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- 测试条件 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
- 栅极电荷 151 nC
- 开关能量 910µJ (on), 580µJ (off)
- 导通/关断时间 (Td) @ 25°C 28ns/115ns